Короткий опис:
Першими 14-нанометровим процесорами Intel, що з'явилися на ринку, стали вироби Core M (покоління Broadwell), розраховані на безвентиляторні і гібридні портативні комп'ютери. І ось в ході виставки CES 2015 в Лас-Вегасі корпорація Intel анонсувала чіпи BROADWELL-U — Core п'ятого покоління.
На виставці CES 2015 в Лас-Вегасі корпорація Intel анонсувала чіпи BROADWELL-U — Core п'ятого покоління.
Всього було представлено більше півтора десятків процесорів BROADWELL-U для настільних комп'ютерів і ноутбуків. Як і Core M, чіпи виготовляються по 14-нанометровій методиці із застосуванням транзисторів з об'ємною структурою. До речі, кількість транзисторів досягає 1,9 млрд.
Всі чіпи, що дебютують, мають два обчислювальні ядра і інтегрований графічний контроллер Intel HD або Intel Iris. Залежно від моделі підтримується одночасне виконання два або чотирьох потоків інструкцій. Максимальне значення розсіюваної теплової енергії — 15 або 28 Вт.
Процесори поступлять на ринок під брендами Core i3, i5 і i7, а також Pentium і Celeron. Велика частина чіпів підтримує фірмову технологію динамічного збільшення робочої частоти і засобу віртуалізації.
Нова апаратна платформа забезпечує істотне підвищення графічної продуктивності в порівнянні з Haswell, а також покращувану підтримку засобів безпровідного зв'язку, зокрема, системи Intel Widi.
Комп'ютери на основі представлених процесорів вже почнуть поступати на ринок. Більш потужні Broadwell з показником TDP в 45 Вт і більш побачать світ до середини 2015 року.
Графіка. Процесор Intel Core i7-5500u «Broadwell» протестували його на предмет продуктивності графічного ядра порівняно з 3D-ядром процесора Core i7-4510u на базі мікроархітектури «Haswell».
Результати виглядають непогано, але не демонструють кардинальних проривів в рівні продуктивності. Вже багато років корпорація Intel веде роботи над поліпшенням своїх інтегрованих графічних ядер. На 2015 рік заплановано дві новинки: Broadwell і Skylake.
Згідно з результатами ранніх тестів, GPU, інтегрована в кристал Broadwell, буде приблизно на 20 % швидша за графічні ядра поточного покоління, використовувані в процесорах Intel Haswell. Рівень енергоспоживання залишиться тим самим, і все це завдяки більшій кількості виконавчих блоків при тоншому 14-нанометровому техпроцесі. Лютий 2015
Корпорація Intel підтвердила затримку масового виробництва центральних процесорів із застосуванням 10-нм технологічного процесу до другої половини 2017 року. Виробник мікросхем стверджує, що у зв'язку з труднощами в освоєнні нових норм виробництва їй доведеться розтягнути життєвий цикл 14-нм техпроцесу для CPU ще на рік. Таким чином, 2016 року Intel представить процесори Kaby Lake, а Cannonlake вийдуть тільки в 2017-му. Керівництво Intel визнало, що унаслідок ускладнення виробництва мікросхем знаменитий закон Мура може піддатися трансформації. Проте, на відміну від конкурентів, Intel не планує спрощувати характеристики нової технології виробництва, щоб прискорити її вихід на ринок. У корпорації упевнені, що її 10-нм технологічний процес стане кращим в індустрії. Жовтень 2015
Читати статтю Виробництво процесорів
Нас чекає виробництво з нормами 5 нм і сканерами EUV
Компанія Samsung розпочне випуск 7-нм продукції в другій половині 2018 року. Вона першою почне використовувати сканери діапазону EUV з довжиною хвилі 13,5 нм. Компанії GlobalFoundries і TSMC приєднаються до неї в 2019 році. У цей період сканери EUV компанії ASML будуть оснащені джерелами випромінювання потужністю 250 Вт. Під цю потужність для 7-нм виробництва вже розроблений і випробуваний фоторезист (матеріал, з допомогою якого переноситься малюнок схеми на кремнієву пластину) і створені стійкі для жорсткого випромінювання бланки для виготовлення фотошаблонів.
До запланованого початку випуску 5-нм чіпів залишається приблизно два роки. Компанія TSMC в січні 2018 року почала будувати завод для розміщення виробничого обладнання під ці норми виробництва. Але проблема в тому, що випуск 5-нм чіпів демонструє значний рівень дефектів. Одна з найголовніших проблем - це відсутність фоторезиста, здатного без спотворень перенести на пластину елементи зображення кристала. Причому дефекти в даному випадку утворюються випадковим чином, і виявити їх - це друга велика і, фактично, нагальна проблема. На вирішення цих проблем відводиться не більше півтора року.
Дослідження Imec показують, що виробництво з нормами 5 нм супроводжується численними дефектами
На конференції SPIE Advanced Lithography 2018, яка пройшла з 25 лютого по 1 березня, фахівець Imec Грег Макінтайр (Greg McIntyre) повідомив, що новітні EUV-сканери довели здатність «друкувати» елементи з розмірами 20 нм і більше, які передбачені в рамках 7-нм виробництва, але подальше зменшення геометричних розмірів елементів під питанням. Сам Макінтайр вірить, що рішення для усунення так званого стохастичного (імовірнісного) ефекту будуть незабаром знайдені, але це зайвий раз переконало скептиків, що майбутнє масової EUV-літографії все ще не визначено. Все може швидко закінчиться, так і не розпочавшись. Особливо з урахуванням того, що EUV - це вкрай дороге задоволення, яке не дозволяє розраховувати на короткостроковий ефект від вкладень.
В процесі пошуку «бездефектного» фоторезиста в інституті Imec випробували близько 350 комбінацій матеріалів і процесів. Всі вони показали випадкове виникнення дефектів при розробці елементів з розмірами близько 15 нм, які необхідно виготовляти в рамках 5-нм техпроцесу. На думку ветерана компанії Intel Яна Бородовскі (Yan Borodovsky), врятувати ситуацію може відмовостійка архітектура процесорів, яка буде маскувати дефекти в силу особливостей проектування рішень. На таке, наприклад, здатні нейронні мережі.
Втім, малоймовірно, що Intel або AMD зможуть внести настільки серйозні зміни в архітектуру процесорів, щоб скористатися перевагами EUV-літографії. Швидше за все, вони дочекаються виходу нових EVU-сканерів ASML з поліпшеними оптичними характеристиками, що станеться з період з 2020 по 2024 роки, або вчені створять стійкий до жорсткого випромінювання фоторезист з необхідними властивостями.
Але самим обнадійливим заявою глави TSMC стало підтвердження плановому наступу на 5-нм техпроцес (5N). У компанії мають у своєму розпорядженні досвідченими 5-нм 256-Мбіт (масивами) мікросхемами SRAM. Рівень браку при дослідному виробництві цих рішень знижений на «десятки» відсотків. Масове виробництво з даними нормами компанія почне в 2020 році (завод вже будується). Цьому також посприяє висновок EUV-сканерів в найближчі квартал на очікувану позначку потужності випромінювання, що дорівнює 250 Вт, що значно підвищить продуктивність сканерів. Техпроцес з нормами 5 нм прибуде вчасно і буде мати довгу виробниче життя, впевнені в TSMC.
Компанія Intel має намір випустити три покоління процесорів, виконаних за технологією 10 нанометрів, після чого перейти на 5-нанометровий рівень. Раніше про таке вже заявив напівпровідниковий гігант TSMC. Схоже, що ці чіпи будуть випущені після Cannonlake і Icelake, тобто не раніше 2020 року. Судячи з усього, для виготовлення таких чіпів буде застосовуватися вже ультрафіолетова літографія наступного покоління (EUVL)
Техпроцес |
90 нм | 65 нм | 45 нм | 32 нм | 22 нм | 14 нм | Intel 7 (10 нм) | Intel 4 |
Рік випуску |
2004 | 2006 | 2008 | 2010 | 2011 | 2014 | 2021 | 2023 |
CPP |
260 нм | 220 нм | 180 нм | 112.5 нм | 90 нм | 70 нм | 60 нм | 50 нм |
MMP |
220 нм | 210 нм | 160 нм | 112.5 нм | 80 нм | 52 нм | 40 нм | 30 нм |
CPP x MMP |
57,200 нм² | 46,200 нм² | 28,800 нм² | 12,656 нм² | 7,200 нм² | 3,640 нм² | 2,400 нм² | 1,500 нм² |
Зменшення площі транзистора |
| 1.24x | 1.6x | 2.28x | 1.76x | 1.98x | 1.52x | 1.6x |
Ключовими параметрами транзистора, що визначають його площу, є крок затвора, тобто. відстань між сусідніми затворами (CPP) та крок міжз'єднання, він же мінімальний крок доріжок металевого шару (MMP)
Lenovo анонсував найпотужніший ноутбук в лінійці виробника і один з найпотужніших на ринку в принципі.
Всередині використовується зв'язка з Core i9-13980HX і NVIDIA RTX 4090. За охолодження компонентів відповідає найкомпактніша на ринку "водянка", яка включається тільки після досягнення температури GPU 84°C, і система з трьох кольорів. Картинка тут виводиться на 16,3-дюймовий 2К екран з частотою оновлення до 165 Гц. На додаток до найпотужніших CPU і GPU, ноутбук оснащено 64 ГБ оперативної пам'яті DDR5-5600, 4-секційною батарею на 99,9 Втч, а під зберігання даних є два SSD M. 2 2280 по 1 ТБ. Ще з цікавого – кришка корпусу з покриттям з вуглецевого матеріалу.
Що маємо станом на кінець 2023 року?Toshiba анонсувала жорсткі диски на 22 ТБ. Поставки зразків жорстких дисків серії MG10F ємністю 22 ТБ з інтерфейсом SAS і SATA на постійній основі надходитимуть з кінці 2023 року.
Вмагазинах продається: Пам'ять для настільних комп'ютерів 48 ГБ DDR5 8000 МГц Картка пам'яті SD на 512ГБ Флеш память USB на 1 ТБ
У 2024 році очікується реліз Windows 12 з новими функціями штучного інтелекту.
Компанія Intel в листопаді 2023р. впровадила в продаж процесори 13-го покоління (Raptor Lake) для настільних комп"ютерів . Флагманський процесор Intel Core i9-13900K отримав 24 ядра, 32 потоки та тактову частоту до 5,8 ГГц. Побудовані на основі 7-го техпроцесу Intel (так компанія називає свій вдосконалений 10 нм Enhanced SuperFin техпроцес) та гібридної архітектури x86, процесори 13-го покоління включають продуктивні ядра (P-ядра) та ефективні ядра (E-ядра), які інтелектуально розподіляють робочі навантаження за допомогою Intel Thread Director, вбудованого мікроконтролера всередині чипа, який відстежує потоки та гарантує, що вони виконуються на потрібних ядрах.
Обговорення. Всього коментарів: 0